石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼表征系统

	石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼表征系统; 石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼表征系统
	谭平恒; 赵伟杰; 韩文鹏; 历巧巧; 姬扬
Rights Holder	中国科学院半导体研究所
Date Available	2012-08-29 ; 2011-08-17 ; 2012-08-29
Country	中国
Subtype	发明
Abstract	本发明公开了一种石墨烯片插层化合物的制备方法及原位显微拉曼表征系统,制备方法包括将石墨烯片和三氯化铁分别放置于相互连接相通的玻璃管和比色皿,用分子泵将玻璃管和比色皿抽成真空后用酒精灯密封住,加热到340摄氏度并保持6至24小时,降温到常温。原位显微拉曼表征系统包括：内含石墨烯片和三氯化铁的密闭相通的玻璃管和比色皿；一激光器；一拉曼光谱仪；一加热台；一升降台；一平移台；两振镜。本发明提供的石墨烯片/三氯化铁插层化合物的制备方法简单实用,原位显微拉曼表征系统可用来原位表征石墨烯片/三氯化铁插层化合物的显微拉曼光谱,并能原位监测石墨烯片/三氯化铁插层化合物的形成情况。
metadata_83	半导体超晶格国家重点实验室
Application Date	2011-03-11
Patent Number	CN102156116A
Language	中文
Status	公开
Application Number	CN201110059829.5
Document Type	专利
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23332
Collection	半导体超晶格国家重点实验室
Recommended Citation GB/T 7714	谭平恒,赵伟杰,韩文鹏,等. 石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼表征系统, 石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼表征系统. CN102156116A.

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石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼（705KB）			限制开放	License	Application Full Text

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