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| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲 ; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
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| 一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910083495.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 彭银生; 徐波; 叶小玲; 王占国
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| 一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081986.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 彭银生; 徐波; 叶小玲; 王占国
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| 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081987.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘王来; 叶小玲; 徐波; 王占国
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| 同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 周文飞; 徐波; 叶小玲; 张世著; 王占国
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| 制备低密度、长波长InAs/GaAs 量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 张世著; 叶小玲; 徐波; 王占国
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