| 一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法 |
| 彭银生; 徐波; 叶小玲 ; 王占国
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法，包括：在半绝缘砷化镓衬底上，外延生长一定厚度的AlGaAs牺牲层；在AlGaAs牺牲层上外延生长一定厚度的砷化镓；在砷化镓层上外延生长一定密度InAs量子点；外延生长一定厚度的砷化镓，将InAs量子点埋住；在砷化镓上采用等离子体化学气相淀积法(PECVD)镀上一层SiO2薄膜；在SiO2薄膜上悬涂一层电子束胶；采用电子束曝光法在电子束胶上制作光子晶体图形；采用反应离子刻蚀方法将电子束胶上的光子晶体图形转移至SiO2上，并去胶；采用扫描电镜(SEM)对样品进行测试，观测并计算光子晶体孔洞的垂直度。利用本发明，不用观察光子晶体孔洞截面，只测试光子晶体表面，便可测试出光子晶体孔洞侧壁垂直度。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN200910081986.9
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910081986.9
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22267
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
彭银生,徐波,叶小玲,等. 一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法. CN200910081986.9.
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