| 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构 |
| 刘王来; 叶小玲 ; 徐波; 王占国
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构，包括：一N型砷化镓衬底；一N型砷化镓缓冲层，生长在N型砷化镓衬底上，用于隔离衬底上的缺陷；一N型铝镓砷光学下限制层，生长在N型砷化镓缓冲层上，用于光学模式和载流子的限制；一多层不同周期的自组织量子点有源层，生长在N型铝镓砷光学下限制层上；一P型铝镓砷光学上限制层，生长在该量子点有源层上，用于光学模式和载流子的限制；以及一P型砷化镓帽层，生长在该P型铝镓砷光学上限制层上，用于电极接触。该结构利用多层不同尺寸设计的量子点的非均匀展宽特性，获得宽的增益谱。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN200910081987.3
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910081987.3
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22269
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘王来,叶小玲,徐波,等. 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构. CN200910081987.3.
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