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| 一种化学气相沉积装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 曾一平; 王军喜; 冉军学; 胡国新; 羊建坤; 梁勇; 路红喜; 李晋闽 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1627/272  |  提交时间:2011/08/31 |
| 锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910236705.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李彦波; 张杨; 曾一平 Adobe PDF(898Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1448/254  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种对半导体材料进行霍尔测试的装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910244534.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李弋洋; 李成基; 曾一平 Adobe PDF(925Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1404/217  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237845.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙国胜; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 杨挺; 吴海雷; 闫果果; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(406Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1763/292  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010269018.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 冉军学; 胡国新; 梁勇; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(756Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1354/250  |  提交时间:2011/08/31 |
| Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 杨翠柏; 李晋闽 Adobe PDF(328Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1553/301  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种基于氧化物掺杂有机材料的有机太阳能电池结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010504161.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 曹国华; 关敏; 李林森; 曾一平 Adobe PDF(368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1516/317  |  提交时间:2011/08/31 |
| 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 魏萌; 王晓亮; 潘旭; 李建平; 刘宏新; 王翠梅; 肖红领 Adobe PDF(264Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1530/265  |  提交时间:2011/08/31 |
| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(575Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2578/485  |  提交时间:2012/08/29 |
| HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2547/513  |  提交时间:2012/08/29 |