| 一种化学气相沉积装置 | |
段瑞飞 ; 曾一平; 王军喜; 冉军学; 胡国新; 羊建坤; 梁勇; 路红喜; 李晋闽
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利用本发明，解决了现有化学气相沉积尤其是MOCVD装置单反应室一次生长结构材料导致的化学气相沉积装置复杂、沉积工艺复杂，受到影响因素较多，工艺可重复性差，可推广性差，同时工艺周期长，生产效率低下等问题。 |
| metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
| Patent Number | CN201010162506.4 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010162506.4 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22299 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 段瑞飞,曾一平,王军喜,等. 一种化学气相沉积装置. CN201010162506.4. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010162506.4.pdf（392KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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