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| 基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张云霄; 廖栽宜; 周帆; 赵玲娟; 王圩 Adobe PDF(927Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1374/190  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 张莉萌; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 潘碧玮; 王圩 Adobe PDF(1606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:512/7  |  提交时间:2016/08/30 |
| 基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 张莉萌; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 潘碧玮; 王圩 Adobe PDF(739Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:521/3  |  提交时间:2016/09/12 |
| 可实现波长宽调谐的分布反射布拉格激光器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07 发明人: 余力强; 梁松; 赵玲娟; 张灿; 吉晨 Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:795/121  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:929/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:876/85  |  提交时间:2014/10/29 |
| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1880Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:784/33  |  提交时间:2014/10/28 |
| 一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22 发明人: 梁松; 张灿; 于立强; 赵玲娟; 朱洪亮; 吉晨; 王圩 Adobe PDF(383Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:624/88  |  提交时间:2014/11/05 |
| 基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19 发明人: 张冶金; 渠红伟; 王海玲; 马绍栋; 郑婉华 Adobe PDF(609Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:606/75  |  提交时间:2014/10/28 |
| 同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 周文飞; 徐波; 叶小玲; 张世著; 王占国 Adobe PDF(1356Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:761/65  |  提交时间:2014/10/31 |