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直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人:  李晋闽;  曾一平;  惠峰;  卜俊鹏;  王文军;  郑红军;  孙红方
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六英寸半绝缘砷化镓单晶  
ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶（片）研究 成果
1996
主要完成人:  林兰英;  曹福;  白玉珂;  惠峰;  卜俊鹏
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Si-gaas  
2”直径的半绝缘磷化铟单晶 成果
1992
主要完成人:  刘巽琅;  叶式中;  赵建群;  焦景华;  曹惠梅
收藏  |  浏览/下载：1049/0  |  提交时间：2010/04/13
磷化铟单晶  
微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究 成果
1989
主要完成人:  林兰英;  周伯骏;  钟兴儒;  王占国;  石志文
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Gaas单晶  
掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备 成果
1988
主要完成人:  梁骏吾;  邓礼生;  郑红军;  黄大定;  栾洪发
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硅单晶  
硅单晶次缺陷图集 成果
1987
主要完成人:  张一心;  蔡田海;  高维滨
收藏  |  浏览/下载：1006/0  |  提交时间：2010/04/13
硅单晶  
水平法低位错GaAs的单晶 成果
1986
主要完成人:  褚一鸣;  何宏家;  周伯骏;  曹福年;  白玉珂
收藏  |  浏览/下载：1035/0  |  提交时间：2010/04/13
Gaas  
可控电参数的低位错磷化铟单晶制备 成果
1985
主要完成人:  叶式中;  刘巽琅;  刘思林;  孙同年;  焦景华
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磷化铟