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| 64×64 InGaAs InP单光子探测雪崩焦平面阵列芯片的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 王帅
 Adobe PDF(5214Kb) |  收藏 | 浏览/下载：447/23 | 提交时间：2021/11/26 |
| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 周媛
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| InP基雪崩光电二极管结构设计与关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李慧梅
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Ingaas/inp Apd Ingaas/inalas Apd 增益 暗电流 击穿电压 扩散zn掺杂 |
| VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 曹可慰
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锗 单晶 垂直梯度凝固 多结电池 热施主 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 董志远; 孙文荣; 段满龙; 杨子祥; 吕旭如
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| 磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 董宏伟; 赵有文; 杨子祥; 焦景华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 段满龙; 孙文荣; 杨子祥; 焦景华; 赵建群; 曹慧梅; 吕旭如
Adobe PDF(496Kb) | 收藏 | 浏览/下载：955/195 | 提交时间：2010/11/23 |
| 2”直径的半绝缘磷化铟单晶 成果
1992
主要完成人: 刘巽琅; 叶式中; 赵建群; 焦景华; 曹惠梅
收藏 | 浏览/下载：1045/0 | 提交时间：2010/04/13
磷化铟单晶 |
| 可控电参数的低位错磷化铟单晶制备 成果
1985
主要完成人: 叶式中; 刘巽琅; 刘思林; 孙同年; 焦景华
收藏 | 浏览/下载：1023/0 | 提交时间：2010/04/13
磷化铟 |
