Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 可控电参数的低位错磷化铟单晶制备 | |
| 叶式中; 刘巽琅; 刘思林; 孙同年; 焦景华 | |
| 获奖类别 | 国家科技进步奖 |
| 获奖等级 | 三等奖 |
| 1985 | |
| 关键词 | 磷化铟 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 成果 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/10932 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶式中,刘巽琅,刘思林,等. 可控电参数的低位错磷化铟单晶制备. 1985. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [叶式中]的文章 |
| [刘巽琅]的文章 |
| [刘思林]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [叶式中]的文章 |
| [刘巽琅]的文章 |
| [刘思林]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [叶式中]的文章 |
| [刘巽琅]的文章 |
| [刘思林]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论