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2”直径的半绝缘磷化铟单晶 成果
1992
主要完成人:  刘巽琅;  叶式中;  赵建群;  焦景华;  曹惠梅
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磷化铟单晶  
一种去除熔体表面浮渣的技术 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1990-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  焦景华;  佘辉;  叶式中
Adobe PDF(155Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：873/127  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  叶式中;  杨保华;  徐岭
Adobe PDF(141Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：704/216  |  提交时间：2010/11/23
高压液封法生长热稳定不掺杂半绝缘GaAs 成果
1986
主要完成人:  林兰英;  叶式中;  何宏家;  方兆强;  曹福年
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半绝缘gaas  
可控电参数的低位错磷化铟单晶制备 成果
1985
主要完成人:  叶式中;  刘巽琅;  刘思林;  孙同年;  焦景华
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磷化铟