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一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  应杰;  张兴旺;  范亚明
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在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人:  李士颜;  周旭亮;  于鸿艳;  李梦珂;  米俊萍;  潘教青
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直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  杨涛;  王占国
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在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24
发明人:  李士颜;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  米俊萍;  潘教青
Adobe PDF(492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：659/84  |  提交时间：2014/11/24