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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体材料科... [19]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
X.F. Liu
;
G.G. Yan
;
B. Liu
;
Z.W. Shen
;
Z.X. Wen
;
J. Chen
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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浏览/下载:104/0
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提交时间:2019/11/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
J. H. Meng
;
X. W. Zhang
;
H. Liu
;
Z. G. Yin
;
D. G. Wang
;
Y. Wang
;
J. B. You
;
J. L. Wu
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浏览/下载:254/4
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提交时间:2017/03/10
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou XL (Zhou X. L.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Liu JQ (Liu J. Q.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:1145/453
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提交时间:2010/09/07
沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:
郑柳
;
孙国胜
;
张峰
;
刘兴昉
;
王雷
;
赵万顺
;
闫果果
;
董林
;
刘胜北
;
刘斌
;
田丽欣
;
曾一平
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浏览/下载:1377/136
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提交时间:2014/11/24
沟槽型MOS势垒肖特基二极管
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:
郑柳
;
孙国胜
;
张峰
;
刘兴昉
;
王雷
;
赵万顺
;
闫果果
;
董林
;
刘胜北
;
刘斌
;
田丽欣
;
曾一平
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浏览/下载:1600/130
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提交时间:2014/11/24
在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:
郑柳
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
张峰
;
王雷
;
赵万顺
;
闫果果
;
董林
;
刘胜北
;
刘斌
;
曾一平
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浏览/下载:970/125
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提交时间:2014/10/31
碳化硅材料腐蚀炉
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:
董林
;
孙国胜
;
赵万顺
;
王雷
;
刘兴昉
;
刘斌
;
张峰
;
闫果果
;
郑柳
;
刘胜北
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浏览/下载:1043/120
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提交时间:2014/10/29
一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人:
刘兴昉
;
刘斌
;
董林
;
郑柳
;
闫果果
;
张峰
;
王雷
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:588/46
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提交时间:2014/12/25
一种碳化硅薄膜生长设备
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-09
发明人:
刘兴昉
;
刘斌
;
董林
;
郑柳
;
闫果果
;
张峰
;
王雷
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:614/70
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提交时间:2014/12/25
一种半导体薄膜生长装置及其生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13
发明人:
刘兴昉
;
刘斌
;
郑柳
;
董林
;
刘胜北
;
闫果果
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:829/80
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提交时间:2014/12/25