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| 光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈海波; 李兆峰; 陈建军; 杨富华; 封松林; 郑厚植 Adobe PDF(606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1366/168  |  提交时间:2009/06/11 |
| CMOS硅发光二极管驱动电路 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 刘海军; 黄北举 Adobe PDF(436Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1168/151  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 刘海军; 黄北举 Adobe PDF(500Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1338/167  |  提交时间:2009/06/11 |
| 多层金属间氧化物脊形波导结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 黄北举; 顾明; 刘海军 Adobe PDF(941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1101/120  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用标准工艺制作金属间氧化层光波导的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 顾明; 刘海军 Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1027/124  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种基于SOI的光子晶体分束器及制法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 余和军; 余金中; 陈少武 Adobe PDF(855Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:997/109  |  提交时间:2009/06/11 |
| 与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 刘海军; 高鹏; 顾明 Adobe PDF(534Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1465/140  |  提交时间:2009/06/11 |
| 深亚微米CMOS工艺电感补偿型光电探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 高鹏; 顾明; 刘海军 Adobe PDF(737Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1101/123  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制作容差和可用带宽范围大的光子晶体分束器 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2007-02-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 余和军; 余金中; 陈少武 Adobe PDF(537Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:953/137  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Chen HD (Chen Hong-Da); Liu HJ (Liu Hai-Jun); Liu JB (Liu Jin-Bin); Ming G (Ming Gu); Huang BJ (Huang Bei-Ju); Chen, HD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hjliu@red.semi.ac.cn Adobe PDF(240Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:889/242  |  提交时间:2010/03/29 |