深亚微米CMOS工艺电感补偿型光电探测器及制作方法
陈弘达; 高鹏; 顾明; 刘海军
2007-03-28
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2005-09-22
语种中文
申请号200510086483
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3583
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
陈弘达,高鹏,顾明,等. 深亚微米CMOS工艺电感补偿型光电探测器及制作方法[P]. 2007-03-28.
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