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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012 发明人: 汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1573/287  |  提交时间:2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010 发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1494/257  |  提交时间:2010/03/19 |
| 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 牛智川; 倪海桥; 王海莉; 贺继方; 朱岩; 李密峰; 王鹏飞; 黄社松; 熊永华 Adobe PDF(723Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1698/204  |  提交时间:2011/08/30 |
| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁 Adobe PDF(377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1619/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102136534A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 梁德春; 李新坤; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(1964Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1472/193  |  提交时间:2012/09/09 |
| 窄脊半导体器件的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2017-06-05 发明人: 杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(5284Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:618/4  |  提交时间:2017/06/05 |
| 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07 发明人: 郭晓璐; 马文全; 张艳华 Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1241/112  |  提交时间:2014/11/24 |
| 制备低密度、长波长InAs/GaAs 量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05 发明人: 张世著; 叶小玲; 徐波; 王占国 Adobe PDF(401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:702/83  |  提交时间:2014/11/24 |