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| 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高海永; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖 Adobe PDF(447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1660/270  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张扬; 闫发旺; 高海永; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 李晋闽 Adobe PDF(561Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:3007/218  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1590/230  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓峰; 段垚; 崔军朋; 曾一平 Adobe PDF(440Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1311/187  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(541Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1180/215  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 段瑞飞; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(616Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1450/234  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 高宏玲; 曾一平; 段瑞飞; 王宝强; 朱战平; 崔利杰 Adobe PDF(687Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1582/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 秦大山; 曹国华; 曹俊松; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1399/218  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 秦大山; 曹国华; 曹俊松; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(448Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1286/222  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平 Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1492/218  |  提交时间:2009/06/11 |