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| III-V族磁性半导体量子点和纳米线的分子束外延制备及性能研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 王思亮 Adobe PDF(7387Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1637/54  |  提交时间:2012/06/27 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Meng KK; Wang SL; Xu PF; Chen L; Yan WS; Zhao JH; Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. jhzhao@red.semi.ac.cn Adobe PDF(665Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1339/360  |  提交时间:2011/07/05 |
| 带间级联激光器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(984Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1041/116  |  提交时间:2014/11/05 |
| 在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 赵建华; 王思亮; 俞学哲; 王海龙 Adobe PDF(232Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:718/101  |  提交时间:2014/10/31 |
| InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11 发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(1368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:998/76  |  提交时间:2014/11/24 |
| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01 发明人: 邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(1931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:960/73  |  提交时间:2014/11/24 |
| InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25 发明人: 蒋洞微; 向伟; 王娟; 邢军亮; 王国伟; 徐应强; 任正伟; 贺振宏; 牛智川 Adobe PDF(932Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:892/107  |  提交时间:2014/11/24 |
| 一种半导体光电器件的表面钝化方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 郝宏玥; 王国伟; 向伟; 蒋洞微; 邢军亮; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(721Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:739/9  |  提交时间:2016/09/12 |