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| 电学测试的汞探针装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12 发明人: 纪 刚; 孙国胜; 宁 瑾; 刘兴昉; 赵永梅; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(270Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2011/331  |  提交时间:2010/08/12 |
| 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12 发明人: 孙国胜; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 叶志仙; 刘兴昉 Adobe PDF(801Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1954/301  |  提交时间:2010/08/12 |
| 氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 宁 瑾; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(564Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1686/262  |  提交时间:2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 黄振; 于斌; 赵国忠; 张存林; 崔利杰; 曾一平 Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1365/414  |  提交时间:2010/11/23 |
| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1596/230  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平 Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1500/218  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 石小溪; 赵国忠; 张存林; 崔利杰; 曾一平 Adobe PDF(469Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1353/596  |  提交时间:2010/11/23 |
| 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(1125Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1075/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liu XF (Liu Xing-Fang); Sun GS (Sun Guo-Sheng); Li JM (Li Jin-Min); Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Li JY (Li Jia-Ye); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liuxf@mail.semi.ac.cn Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1333/335  |  提交时间:2010/04/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 李国华; 马宝珊; 王文杰; 苏付海; 丁琨; 赵建华; 邓加军; 蒋春萍 Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1083/332  |  提交时间:2010/11/23 |