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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 徐应强; 汤宝; 王国伟; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1500/314  |  提交时间:2012/07/17 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012 发明人: 汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1689/287  |  提交时间:2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010 发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1585/257  |  提交时间:2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郭杰; 孙维国; 彭震宇; 周志强; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(321Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1671/721  |  提交时间:2010/11/23 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1401/190  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1410/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1341/168  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郝瑞亭; 徐应强; 周志强; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1035/308  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 徐晓华; 牛智川; 倪海桥; 徐应强; 张纬; 贺正宏; 韩勤; 吴荣汉; 江德生 Adobe PDF(272Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:901/224  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xu XH; Niu ZC; Ni HQ; Xu YQ; Zhang W; He ZH; Han Q; Wu RH; Jiang DS; Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn Adobe PDF(199Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:954/250  |  提交时间:2010/03/17 |