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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du, Y.D.;  Cao, H.Z.;  Yan, W.;  Han, W.H.;  Liu, Y.;  Dong, X.Z.;  Zhang, Y.B.;  Jin, F.;  Zhao, Z.S.;  Yang, F.H.;  Duan, X.M.;  Han, W.H.(weihua@semi.ac.cn)
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依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨香;  韩伟华;  王颖;  张杨;  杨富华
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SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  杨富华
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利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人:  颜伟;  杜彦东;  韩伟华;  杨富华
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半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人:  张严波;  韩伟华;  杜彦东;  李小明;  陈艳坤;  杨香;  杨富华
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硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人:  韩伟华;  陈燕坤;  李小明;  张严波;  杜彦东;  杨富华
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基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  韩伟华;  熊莹;  赵凯;  杨香;  张严波;  王颖;  杨富华
Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1153/84  |  提交时间:2011/08/31
纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人:  陈燕坤;  韩伟华;  洪文婷;  杨富华
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一种无结晶体管的电阻测试方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  王昊;  韩伟华;  马刘红;  杨富华
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