已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang B; Li ZC; Yao R; Liang M; Yan FW; Wang GH; Wang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lighting R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. wangbing@semi.ac.cn
Adobe PDF(761Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1554/374  |  提交时间:2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 贠利君 ; 魏同波 ; 刘乃鑫 ; 闫建昌 ; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(1029Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1264/356  |  提交时间:2012/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王兵 ; 李志聪 ; 姚然; 梁萌 ; 闫发旺; 王国宏
Adobe PDF(761Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1410/194  |  提交时间:2011/08/16 |
| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(315Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1959/220  |  提交时间:2011/08/31 |
| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(212Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1527/264  |  提交时间:2011/08/31 |
| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌 ; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波 ; 魏学成 ; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(255Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1812/298  |  提交时间:2011/08/31 |
| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕 ; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(279Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1573/288  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(301Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1900/288  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(495Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1591/153  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(325Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1535/280  |  提交时间:2011/08/31 |