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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei Xiang;  Guowei Wang;  Hongyue Hao;  Yongping Liao;  Xi Han;  Lichun Zhang;  Yingqiang Xu;  Zhengwei Ren;  Haiqiao Ni;  Zhenhong He;  Zhichuan Niu
Adobe PDF(1528Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：191/2  |  提交时间：2017/03/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guowei, Wang;  Wei, Xiang;  Yingqiang, Xu;  Liang, Zhang;  Zhenyu, Peng;  Yanqiu, Lü;  Junjie, Si;  Juan, Wang;  Junliang, Xing;  Zhengwei, Ren;  Zhichuan, Niu
Adobe PDF(4993Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：367/68  |  提交时间：2014/03/26
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, Quanxiang;  Wu, Bingpeng;  Ren, Zhengwei;  He, Zhenhong;  Niu, Zhichuan
Adobe PDF(1366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：672/163  |  提交时间：2013/05/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, Yingqiang;  Tang, Bao;  Wang, Guowei;  Ren, Zhengwei;  Niu, Zhichuan;  Xu, Y.(yingqxu@semi.ac.cn)
Adobe PDF(691Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1272/392  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐应强;  汤宝;  王国伟;  任正伟;  牛智川
Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1500/314  |  提交时间：2012/07/17
GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:  汤宝;  周志强;  郝瑞亭;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1746/287  |  提交时间：2010/03/19
GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:  周志强;  郝瑞亭;  汤 宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1643/257  |  提交时间：2010/03/19
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1451/190  |  提交时间：2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1461/150  |  提交时间：2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1402/168  |  提交时间：2009/06/11