中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共41条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, JM;  Zeng, YP;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(246Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2073/307  |  提交时间：2010/03/09
Silicon Carbide  Aluminum Nitride  Buffer Layer  Lpcvd  
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  李家业;  王雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平
Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1632/230  |  提交时间：2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
Adobe PDF(685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1461/186  |  提交时间：2009/06/11
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘兴昉;  孙国胜;  李晋闽;  赵永梅;  王雷;  赵万顺;  李家业;  曾一平
Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1576/218  |  提交时间：2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
Adobe PDF(730Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1415/167  |  提交时间：2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
Adobe PDF(682Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1234/158  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun JY (Sun Jiayin);  Chen J (Chen Jing);  Wang X (Wang Xi);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Liu W (Liu Wei);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Yang H (Yang Hui);  Sun, JY, No 865,Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiayinsun@mail.sim.ac.cn
Adobe PDF(176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1146/316  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Luo, MC;  Li, JM;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1047/264  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YM (Zhao Yong-Mei);  Sun GS (Sun Guo-Sheng);  Li JY (Li Jia-Ye);  Liu XF (Liu Xing-Fang);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wan-Shun);  Li JM (Li Jin-Min);  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1014/248  |  提交时间：2010/03/29
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Li, JM (Li, J. M.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1514/197  |  提交时间：2010/03/29
Micro-raman  4h-sic  Defects  3c-inclusions  Triangle-shaped Inclusion  Epitaxial Layers  Silicon-carbide