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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Ⅲ族氮化物材料 MOCVD 反应室的优化设计
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:
谷承艳
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提交时间:2013/06/20
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提交时间:2013/03/26
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Zhu CY
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Gu QL
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Li CJ
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Fung S
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Anwand W
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Skorupa W
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Ling CC
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Lu, LW, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: ccling@hku.hk
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提交时间:2010/03/08
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:
赵桂娟
;
李志伟
;
桑玲
;
刘贵鹏
;
刘长波
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谷承艳
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魏鸿源
;
刘祥林
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朱勤生
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杨少延
;
王占国
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提交时间:2014/10/29