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飞秒激光光刻技术制备T型栅AiGaN/GaN_HEMT的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  杜彦东
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：3233/1392  |  提交时间：2012/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du, Y.D.;  Cao, H.Z.;  Yan, W.;  Han, W.H.;  Liu, Y.;  Dong, X.Z.;  Zhang, Y.B.;  Jin, F.;  Zhao, Z.S.;  Yang, F.H.;  Duan, X.M.;  Han, W.H.(weihua@semi.ac.cn)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  汪连山;  刘祥林;  昝育德;  汪度;  王俊;  陆大成;  王占国
Adobe PDF(210Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1075/337  |  提交时间：2010/11/23
一种化学气相淀积反应管 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1992-09-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  汪度;  昝育德;  刘祥林
Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1035/143  |  提交时间：2009/06/11
基于两端口微腔激光器空间干涉的光学生物传感器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  林建东;  黄永箴;  杨跃德;  肖金龙;  姚齐峰;  吕晓萌;  杜云
Adobe PDF(508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1340/215  |  提交时间：2012/09/09
SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  杨富华
Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1932/383  |  提交时间：2012/09/07
利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人:  颜伟;  杜彦东;  韩伟华;  杨富华
Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1494/336  |  提交时间：2012/09/07
半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人:  张严波;  韩伟华;  杜彦东;  李小明;  陈艳坤;  杨香;  杨富华
Adobe PDF(941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1584/342  |  提交时间：2012/09/07
硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人:  韩伟华;  陈燕坤;  李小明;  张严波;  杜彦东;  杨富华
Adobe PDF(547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1598/343  |  提交时间：2012/09/07