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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jing Zhang;  Hong-Liang Lv;  Hai-Qiao Ni;  Shi-Zheng Yang;  Xiao-Ran Cui;  Zhi-Chuan Niu;  Yi-Men Zhang and Yu-Ming Zhang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiang-Bin Su ;   Ying Ding ;   Ben Ma ;   Ke-Lu Zhang ;   Ze-Sheng Chen ;   Jing-Lun Li ;   Xiao-Ran Cui ;  Ying-Qiang Xu ;   Hai-Qiao Ni ;   Zhi-Chuan Niu
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氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  王晓亮;  唐 健;  肖红领;  王翠梅;  冉学军;  胡国新;  李晋敏 
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倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  杨翠柏;  肖红领;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李晋闽
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单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
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生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  胡国新;  杨翠柏;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
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氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  冉学军;  肖红领;  王翠梅;  胡国新;  唐健;  罗卫军
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氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马志勇;  王晓亮;  冉军学;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  罗卫军
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一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王新华;  冯春;  王保柱;  马志勇;  王军喜;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅
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宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅;  罗卫军
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