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| 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
Inventors: 王晓亮; 唐 健; 肖红领; 王翠梅; 冉学军; 胡国新; 李晋敏
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| 倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 王晓亮; 杨翠柏; 肖红领; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李晋闽
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| 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽
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| 生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 王晓亮; 肖红领; 胡国新; 杨翠柏; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽
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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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