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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu, Guangze;   Lv, Zunren;   Zhang, Zhongkai;   Yang, Xiaoguang;   Yang, Tao
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, Xiaoguang;  Wang, Kefan;  Gu, Yongxian;  Ni, Haiqiao;  Wang, Xiaodong;  Yang, Tao;  Wang, Zhanguo
Adobe PDF(379Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1096/280  |  提交时间：2013/08/27
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, Ke-Fan;  Gu, Yongxian;  Yang, Xiaoguang;  Yang, Tao;  Wang, Zhanguo
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In(Ga)As/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  杨晓光
Adobe PDF(10642Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1349/116  |  提交时间：2011/06/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XG;  Yang T;  Wang KF;  Ji HM;  Ni HQ;  Niu ZC;  Wang ZG;  Yang, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(1135Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1323/386  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XG;  Yang T;  Wang KF;  Gu YX;  Ji HM;  Xu PF;  Ni HQ;  Niu ZC;  Wang XD;  Chen YL;  Wang ZG;  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(541Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1153/352  |  提交时间：2011/07/05
硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1553/248  |  提交时间：2012/09/09
锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176490A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨晓光;  杨涛
Adobe PDF(313Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1352/211  |  提交时间：2012/09/09
磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1595/267  |  提交时间：2011/08/31
硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  杨涛;  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  季祥海;  王占国
Adobe PDF(878Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：779/4  |  提交时间：2016/09/12