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| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1421/249  |  提交时间:2011/08/31 |
| SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07 发明人: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华 Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1745/383  |  提交时间:2012/09/07 |
| 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07 发明人: 颜伟; 杜彦东; 韩伟华; 杨富华 Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1330/336  |  提交时间:2012/09/07 |
| 微机电系统机械组元可靠性评估的测试装置及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910078562.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨晋玲; 周威; 周美强; 朱银芳; 杨富华 Adobe PDF(654Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1495/246  |  提交时间:2011/08/31 |
| 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李艳; 杨富华; 裴为华 Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1832/278  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于谐振原理工作的MEMS滤波器模块 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534603.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宁瑾; 李永梅; 韩国威; 杨富华 Adobe PDF(410Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1306/226  |  提交时间:2011/08/31 |
| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07 发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华 Adobe PDF(941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1444/342  |  提交时间:2012/09/07 |
| 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07 发明人: 韩伟华; 陈燕坤; 李小明; 张严波; 杜彦东; 杨富华 Adobe PDF(547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1453/343  |  提交时间:2012/09/07 |
| 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1143/84  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于差分方法的MEMS器件信号检测电路 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010564525.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 韩国威; 宁瑾; 孙国胜; 赵永梅; 杨富华 Adobe PDF(387Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1159/100  |  提交时间:2011/08/31 |