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| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2010/220  |  提交时间:2011/08/31 |
| 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 黄亚军; 樊中朝; 刘志强; 伊晓燕; 季安; 王军喜 Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1678/231  |  提交时间:2011/08/31 |
| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1903/298  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(495Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1656/153  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010235850.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 王军喜; 刘乃鑫; 路红喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(417Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1605/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 低位错氮化镓的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102409406A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1268/208  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2105/300  |  提交时间:2011/08/31 |
| 金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010514077.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 魏同波; 王军喜; 路红喜; 刘乃鑫; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1722/258  |  提交时间:2011/08/31 |
| 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1555/236  |  提交时间:2011/08/31 |
| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1446/248  |  提交时间:2011/08/31 |