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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [13]
作者
刘兴昉 [7]
赵永梅 [2]
宁瑾 [2]
王亮 [1]
文献类型
专利 [5]
期刊论文 [5]
会议论文 [3]
发表日期
2008 [13]
语种
英语 [8]
中文 [5]
出处
2008 9TH I... [2]
CHINESE PH... [2]
半导体学报 [2]
2008 3RD I... [1]
JOURNAL OF... [1]
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收录类别
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发表日期:2008
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期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
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基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
李家业
;
王雷
;
赵万顺
;
李晋闽
;
曾一平
Adobe PDF(365Kb)
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浏览/下载:1519/230
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
赵永梅
;
刘兴昉
Adobe PDF(685Kb)
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收藏
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浏览/下载:1298/186
  |  
提交时间:2009/06/11
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘兴昉
;
孙国胜
;
李晋闽
;
赵永梅
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
曾一平
Adobe PDF(494Kb)
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收藏
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浏览/下载:1347/218
  |  
提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
赵永梅
;
刘兴昉
Adobe PDF(730Kb)
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浏览/下载:1175/167
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
赵永梅
;
刘兴昉
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浏览/下载:1110/158
  |  
提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Yang, FH
;
Li, JM
;
Zhou, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jlyang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1101/423
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
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浏览/下载:978/232
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提交时间:2010/03/08
Fracture properties of silicon carbide thin films charcterized by bulge test of long membranes
会议论文
2008 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, Sanya, PEOPLES R CHINA, JAN 06-09, 2008
作者:
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Yang, FH
;
Li, JM
;
Zhou, W, CAS, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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浏览/下载:2121/511
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提交时间:2010/03/09
Bulge Test Fracture Property
Silicon Carbide Thin Films
Weibull Distribution Function
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, YH
;
Wang, XF
;
Li, SS
;
Liu, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuyh@semi.ac.cn
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浏览/下载:787/252
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提交时间:2010/03/08
High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Ji, G
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Ji, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1783Kb)
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浏览/下载:1412/225
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提交时间:2010/03/09