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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [16]
作者
侯奇峰 [1]
张明兰 [1]
肖红领 [1]
王翠梅 [1]
冯春 [1]
文献类型
专利 [6]
会议论文 [5]
期刊论文 [5]
发表日期
2008 [16]
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出处
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发表日期:2008
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单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
肖红领
;
杨翠柏
;
胡国新
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
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浏览/下载:1603/246
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提交时间:2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
肖红领
;
胡国新
;
杨翠柏
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
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浏览/下载:1549/200
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提交时间:2009/06/11
氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
马志勇
;
冉学军
;
肖红领
;
王翠梅
;
胡国新
;
唐健
;
罗卫军
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浏览/下载:1676/189
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提交时间:2009/06/11
氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马志勇
;
王晓亮
;
冉军学
;
胡国新
;
肖红领
;
王翠梅
;
罗卫军
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浏览/下载:1570/181
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提交时间:2009/06/11
一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
王新华
;
冯春
;
王保柱
;
马志勇
;
王军喜
;
胡国新
;
肖红领
;
冉军学
;
王翠梅
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浏览/下载:1468/176
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提交时间:2009/06/11
宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
马志勇
;
胡国新
;
肖红领
;
冉军学
;
王翠梅
;
罗卫军
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浏览/下载:1515/172
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo, LC
;
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Mao, HL
;
Ran, JX
;
Luo, WJ
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Fang, CB
;
Hu, GX
;
Guo, LC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lcguo@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Tang J
;
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Hu GX
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1875/433
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提交时间:2010/03/09
Algan/gan Hemts
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:2026/329
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提交时间:2010/03/09
Gas Sensors
Hemt Structures
Mobility
Temperature
Transistors
Growth
Mocvd
Layer
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Performance
Heterostructures
Optimization
Mobility