已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 孙波; 王国宏 Adobe PDF(298Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1407/234  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1946/302  |  提交时间:2012/09/09 |
| 氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157611.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 李京波; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1515/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1550/288  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010235850.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 王军喜; 刘乃鑫; 路红喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(417Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1523/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 发光二极管的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130230A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜 Adobe PDF(162Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1866/390  |  提交时间:2012/09/09 |
| 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1472/236  |  提交时间:2011/08/31 |
| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1376/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1610/306  |  提交时间:2012/09/09 |
| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰 Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1929/350  |  提交时间:2012/09/09 |