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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [12]
作者
江德生 [3]
徐波 [1]
张艳华 [1]
文献类型
会议论文 [12]
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2006 [2]
2004 [1]
2002 [2]
2001 [1]
2000 [3]
1999 [1]
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期刊影响因子降序
Surface morphology evolution of strained InAs/GaAs(331)a films
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Gong, M (Gong, Meng)
;
Fang, ZD (Fang, Zhidan)
;
Miao, ZH (Miao, Zhenhua)
;
Niu, ZC (Niu, Zhichuan)
;
Gong, M, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Surface Morphology Evolution
Inas Nanostructures
Island-pit Pairs
Molecular-beam Epitaxy
Quantum Dots
Cooperative Nucleation
Heteroepitaxy
Transition
Islands
Growth
Tuning of emission wavelength of InAs/GaAs quantum dots sandwiched by combination layers
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Fang, ZD (Fang, Zhidan)
;
Gong, M (Gong, Meng)
;
Miao, ZH (Miao, Zhenhua)
;
Niu, ZC (Niu, Zhichuan)
;
Fang, ZD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Quantum Dots
Photoluminescence
Combination Layer
1.3 Mu-m
Lasers
Inalas
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Jiang DS
;
Bian LF
;
Liang XG
;
Chang K
;
Sun BQ
;
Johnson S
;
Zhang YH
;
Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Gaassb/gaas
Gaas
Lasers
Gain
Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Cheng BW
;
Zhang JG
;
Zuo YH
;
Mao RW
;
Huang CJ
;
Luo LP
;
Yao F
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1258/201
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提交时间:2010/11/15
Si-ge Alloys
Growth
Layers
Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Chang K
;
Bian LF
;
Sun BQ
;
Wang JB
;
Johnson S
;
Zhang Y
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Lasers
Gain
Gaas
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Sun BQ
;
Jiang DS
;
Pan Z
;
Li LH
;
Wu RH
;
Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Semiconducting Iiiv Materials
Luminescence
Gaasn
In situ annealing during the growth of relaxed SiGe
会议论文
OPTICAL AND INFRARED THIN FILMS, 4094, SAN DIEGO, CA, 36739
作者:
Li DZ
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Wang HJ
;
Yu Z
;
Zhang CH
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li DZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition
Sige
Refractive High Energy Electron Diffraction
Tansmission Electron Microscopy
Double Crystal X-ray Diffraction
Mobility 2-dimensional Electron
Critical Thickness
Strained Layers
Ge
Relaxation
Epilayers
Si1-xgex
Gesi/si
Gases
High efficiency, low vertical divergence angle 980nnn Al-free active region lasers with novel large optical cavity and asymmetrical cladding layers
会议论文
IN-PLANE SEMICONDUCTOR LASERS IV, 3947, SAN JOSE, CA, JAN 24-25, 2000
作者:
Xiu ZT
;
Zhang JM
;
Ma XY
;
Yang GW
;
Shen GD
;
Chen LH
;
Xiu ZT Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Sqw Lasers
Ingaasp
Power
Fiber
Nm
Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials
会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:
Lin YW
;
Pan Z
;
Li LH
;
Zhou ZQ
;
Wang H
;
Zhang W
;
Lin YW Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Ganas
Dc Active N-2 Plasma
Molecular Beam Epitaxy
Nitrogen Content
Fourier Transform Infrared Spectroscopy Of Intensity
Band-gap Energy
Gaas1-xnx
Nitrogen
High power continuous-wave operation of self-organized In(Ga)As/GaAs quantum dot lasers
会议论文
1999 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS, SHATIN, HONG KONG, 36337
作者:
Wang ZG
;
Liang JB
;
Qian G
;
Xu B
;
Wang ZG Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29