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| 低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 李艳 Adobe PDF(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1547/257  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Li YQ; Yang Y; Fu SY; Yi XY; Wang LC; Chen HD; Fu, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: syfu@mail.ipc.ac.cn Adobe PDF(1243Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1489/605  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王立彬; 陈宇; 刘志强; 伊晓燕; 马龙; 潘领峰; 王良臣 Adobe PDF(572Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1567/500  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王立彬; 刘志强; 陈宇; 伊晓燕; 马龙; 潘领峰; 王良臣 Adobe PDF(501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:946/269  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 刘志强; 王良臣; 于丽娟; 郭金霞; 伊晓燕; 马龙; 王立彬; 陈宇 Adobe PDF(443Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:879/278  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 伊晓燕; 郭金霞; 马龙; 王立彬; 陈宇; 刘志强; 王良臣 Adobe PDF(237Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:964/278  |  提交时间:2010/11/23 |
| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1631/288  |  提交时间:2011/08/31 |