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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  刘志强;  王良臣;  于丽娟;  郭金霞;  伊晓燕;  王立彬;  陈宇;  马龙
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采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  马龙;  杨富华;  王良臣;  黄应龙
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基于微分负阻器件与CMOS电路的纳米流水线乘法器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  马龙;  王良臣;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  马龙;  张杨;  戴扬;  杨富华;  曾一平;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  王立彬;  陈宇;  刘志强;  伊晓燕;  马龙;  潘领峰;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  王立彬;  刘志强;  陈宇;  伊晓燕;  马龙;  潘领峰;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Dai Yang;  Huang Yinglong;  Liu Wei;  Ma Long;  Yang Fuhua;  Wang Liangchen;  Zeng Yiping;  Zheng Houzhi
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  梁萌;  王国宏;  范曼宁;  郭德博;  刘广义;  马龙;  王良臣;  李晋闽
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共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
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背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  马龙;  王良臣;  王立彬;  郭金霞;  伊晓燕
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