Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 | |
陈宇; 王良臣; 伊晓燕 ; 李艳
| |
| 2008-05-07 | |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2006-11-01 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | 200610114192 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4013 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈宇,王良臣,伊晓燕,等. 低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法[P]. 2008-05-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 200610114192.pdf（386KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [陈宇]的文章 |
| [王良臣]的文章 |
| [伊晓燕]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [陈宇]的文章 |
| [王良臣]的文章 |
| [伊晓燕]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [陈宇]的文章 |
| [王良臣]的文章 |
| [伊晓燕]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论