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| 半导体纳米团簇的电子结构和光学性质 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000 作者: 李京波 Adobe PDF(4106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1084/30  |  提交时间:2009/04/13 |
| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2010/220  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157611.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 李京波; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1610/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(495Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1657/153  |  提交时间:2011/08/31 |
| 染料敏化太阳能电池纳米复合光阳极的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102280259A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-12-14, 2012-08-29 发明人: 王美丽; 李京波; 王岩 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1446/238  |  提交时间:2012/08/29 |
| 纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102222572A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-10-19, 2012-08-29 发明人: 王美丽; 李京波; 王岩 Adobe PDF(303Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1274/199  |  提交时间:2012/08/29 |
| 一种染料敏化太阳能电池复合电极及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157265A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-08-17, 2012-08-29 发明人: 王岩; 李京波; 王美丽 Adobe PDF(326Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1437/249  |  提交时间:2012/08/29 |
| 制备Mn掺杂InP:Zn基稀磁半导体的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102108483A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-06-29, 2012-08-29 发明人: 杨冠东; 朱峰; 李京波 Adobe PDF(294Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1396/229  |  提交时间:2012/08/29 |
| 一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241693.2, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 李京波; 朱峰 Adobe PDF(747Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1377/158  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241700.9, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 朱峰; 李京波 Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1300/167  |  提交时间:2011/08/30 |