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| 纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法; 纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法 | |
| 王美丽; 李京波; 王岩 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-08-29 ; 2011-10-19 ; 2012-08-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法,包括以下几个步骤：步骤1：取一导电基片；步骤2：采用丝网印刷技术,在导电基片的表面印刷TiO2浆料；步骤3：加热,使TiO2浆料中的有机溶剂挥发,得到TiO2纳米晶多孔膜,有利于染料的吸附；步骤4：在TiO2纳米晶多孔膜上沉积ZnO晶种层3,有利于ZnO纳米线的外延生长；步骤5：采用水热化学反应法,在ZnO晶种层上外延生长ZnO纳米线阵列,有利于光生电子的直线传输并加快电荷分离,完成ZnO纳米线阵列4和TiO2纳米晶多孔膜纳米复合光阳极的制备。 |
| 部门归属 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 申请日期 | 2011-03-21 |
| 专利号 | CN102222572A |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201110067723.X |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23327 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王美丽,李京波,王岩. 纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法, 纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法. CN102222572A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 纳米线阵列_纳米晶多孔膜复合结构光阳极的（303KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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