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| 生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994 发明人: 范海波; 杨少延; 张攀峰; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1541/249  |  提交时间:2010/03/19 |
| 用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王保柱; 王晓亮; 王晓燕; 王新华; 肖红领; 王军喜; 刘宏新 Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1355/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵; 刘祥林; 陈涌海; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1416/165  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵; 陈涌海; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(350Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1168/180  |  提交时间:2009/06/11 |
| 气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄大定; 李建平; 高斐; 林燕霞; 孙殿照; 刘金平; 朱世荣; 孔梅影 Adobe PDF(574Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1596/223  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 牛智川; 倪海桥; 王海莉; 贺继方; 朱岩; 李密峰; 王鹏飞; 黄社松; 熊永华 Adobe PDF(723Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1757/204  |  提交时间:2011/08/30 |
| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1524/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1423/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1423/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29 发明人: 贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1591/245  |  提交时间:2012/08/29 |