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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012 发明人: 汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1682/287  |  提交时间:2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010 发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1577/257  |  提交时间:2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Guo J; Peng ZY; Lu ZX; Sun WG; Hao RT; Zhou ZQ; Xu YQ; Niu ZC; Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 710072 Peoples R China. Adobe PDF(475Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1149/346  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郭杰; 孙维国; 彭震宇; 周志强; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(321Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1671/721  |  提交时间:2010/11/23 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1396/190  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1399/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1333/168  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郝瑞亭; 徐应强; 周志强; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1035/308  |  提交时间:2010/11/23 |
| 高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 徐晓华; 倪海桥; 徐应强; 韩勤; 吴荣汉 Adobe PDF(504Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1410/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 1.3-1.55 m GaInNAs 多量子阱共振腔增强型探测器 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005 作者: 徐应强 Adobe PDF(4985Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:841/42  |  提交时间:2009/04/13 |