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| 金属有机物化学气相沉积装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12 发明人: 段瑞飞; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2437/550  |  提交时间:2010/08/12 |
| 一种垂直结构氮化物LED的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 4008 发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(479Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1587/296  |  提交时间:2010/03/19 |
| 一种氮化物材料的外延方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999 发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1389/239  |  提交时间:2010/03/19 |
| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬 Adobe PDF(556Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1773/269  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王新华; 冯春; 王保柱; 马志勇; 王军喜; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅 Adobe PDF(973Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1468/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1623/233  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平 Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1464/197  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强 Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1669/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1348/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平 Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1276/179  |  提交时间:2009/06/11 |