Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 金属有机物化学气相沉积装置 | |
段瑞飞 ; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
| |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2010-02-24 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种金属有机物化学气相沉积装置，其特征在于，包括:一反应室，该反应室用于同时生长氮化物和氧化锌的半导体外延薄膜材料;一有机源通道，该有机源通道的一端与反应室的一入口连接，用于为反应室生长氮化物或者氧化锌材料提供金属源材料;一气源通道，该气源通道的一端与反应室的另一入口连接，用于为反应室生长氮化物或者氧化锌材料提供氮源或者氧源;一气路分配单元，该气路分配单元的输出端与有机源通道和气源通道的另一端连接;一有机源，该有机源通过管路与气路分配单元的输入端连接;一载气，该载气通过管路与气路分配单元的输入端连接;一气源，该气源通过管路与气路分配单元的输入端连接。 |
| 申请日期 | 2008-08-20 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810118737.8 |
| 专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13382 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 段瑞飞,王军喜,王国宏,等. 金属有机物化学气相沉积装置[P]. 2010-08-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 3557.pdf（435KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [段瑞飞]的文章 |
| [王军喜]的文章 |
| [王国宏]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [段瑞飞]的文章 |
| [王军喜]的文章 |
| [王国宏]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [段瑞飞]的文章 |
| [王军喜]的文章 |
| [王国宏]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论