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| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽
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| Demonstration of high efficient tunable lasing with one photonic crystal W1 waveguide 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者: Zheng WH (Zheng Wanhua); Xing MX (Xing Mingxin); Chen; W (Chen Wei); Zhou WJ (Zhou Wenjun); Liu AJ (Liu Anjin); Wang HL (Wang Hailing); Chen LH (Chen Lianghui)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang ZG (Wang Zhiguo); Gao F (Gao Fei); Li JB (Li Jingbo); Zu XT (Zu Xiaotao); Weber WJ (Weber William J.); Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China, Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China. 电子邮箱地址: zgwang@uestc.edu.cn; fei.gao@pnl.gov; jbli@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ding Y; Fan WJ; Xu DW; Tong CZ; Yoon SF; Zhang DH; Zhao LJ; Wang W; Liu Y; Zhu NH; Ding Y Nanyang Technol Univ Sch Elect & Elect Engn Singapore 639798 Singapore. E-mail Address: yding@ntu.edu.sg
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG; Guo LC Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lcguo@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang ZG; Gao F; Li JB ; Zu XT; Weber WJ; Wang ZG Univ Elect Sci & Technol China Dept Appl Phys Chengdu 610054 Peoples R China. E-mail Address: zgwang@uestc.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang ZG (Wang Zhiguo); Wang SJ (Wang Shengjie); Li JB (Li Jingbo); Gao F (Gao Fei); Weber WJ (Weber William J.); Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China, Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang, WJ (Wang Wen-Jie); Deng, JJ (Deng Jia-Jun); Fu, XQ (Fu Xing-Qiu); Hu, B (Hu Bing); Ding, K (Ding Kun); Wang, WJ, N China Elect Power Univ, Dept Math & Phys, Beijing 102206, Peoples R China. 电子邮箱地址: wwj2008@ncepu.edu.cn
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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军
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