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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tong CZ;  Bijlani BJ;  Zhao LJ;  Alali S;  Han Q;  Helmy AS;  Tong, CZ (reprint author), Univ Toronto, Edward S Rogers Sr Dept Elect & Comp Engn, Toronto, ON M5S3G4, Canadacz.tong@utoronto.ca;  b.bijlani@utoronto.ca;  ljzhao@semi.ac.cn;  Sanaz.alali@gmail.ca;  Hanqin@red.semi.ac.cn;  a.helmy@utoronto.ca
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DW;  Yoon SF;  Ding Y;  Tong CZ;  Fan WJ;  Zhao LJ;  Xu, DW, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singaporen060085@ntu.edu.sg;  esfyoon@ntu.edu.sg;  YDing@ntu.edu.sg;  CZTong@ntu.edu.sg;  ewjfan@ntu.edu.sg;  ljzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DW;  Tong CZ;  Yoon SF;  Zhao LJ;  Ding Y;  Fan WJ;  Xu, DW, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: n060085@ntu.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding Y;  Fan WJ;  Xu DW;  Tong CZ;  Liu Y;  Zhao LJ;  Ding, Y, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. E-mail Address: yding@ntu.edu.sg;  ewjfan@ntu.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding Y;  Fan WJ;  Xu DW;  Tong CZ;  Yoon SF;  Zhang DH;  Zhao LJ;  Wang W;  Liu Y;  Zhu NH;  Ding Y Nanyang Technol Univ Sch Elect & Elect Engn Singapore 639798 Singapore. E-mail Address: yding@ntu.edu.sg
Adobe PDF(638Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1306/370  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DW;  Yoon SF;  Tong CZ;  Zhao LJ;  Ding Y;  Fan WJ;  Xu DW Nanyang Technol Univ Sch Elect & Elect Engn Singapore 639798 Singapore. E-mail Address: n060085@ntu.edu.sg;  esfyoon@ntu.edu.sg;  cztong@ntu.edu.sg;  ljzhao@red.semi.ac.cn;  yding@ntu.edu.sg;  ewjfan@ntu.edu.sg
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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-05-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  佟存柱;  牛智川;  韩勤;  杜云;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, Q;  Yang, XH;  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Zhang, SY;  Du, Y;  Peng, LH;  Zhao, H;  Tong, CZ;  Wu, RH;  Wang, QM;  Han, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hanqin@red.semi.ac.cn
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1.3 µm GaAs 基量子阱、量子点垂直腔面发射激光器 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  佟存柱
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