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硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
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磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
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相变存储器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马慧莉;  王晓峰;  张加勇;  程凯芳;  王晓东;  季安;  杨富华
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一种平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010115649.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  张加勇;  王晓峰;  马慧莉;  程凯芳;  王晓东;  杨富华
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一种高密度相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010139053.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  程凯芳;  王晓峰;  王晓东;  张加勇;  马慧莉;  杨富华
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