硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法; 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 | |
王科范; 杨晓光![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法,包括如下步骤:步骤1:选择一n+型GaAs单晶片作为衬底;步骤2:在n+型GaAs单晶片上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层;步骤3:在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结构,作为电池的i吸收层;步骤4:在多个周期的量子点结构上依次生长本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层、p型Al0.4Ga0.6As层和p型GaAs层;步骤5:在p型GaAs层上生长ZnS/MgF2层;步骤6:在ZnS/MgF2层上生长并制作上金属电极;步骤7:在n+型GaAs单晶片的下表面制作下金属电极;步骤8:对电池组件进行封装,完成太阳电池的制作。 |
metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Patent Number | CN102130206A |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010602219.0 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23491 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王科范,杨晓光,杨涛,等. 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法, 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法. CN102130206A. |
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硅掺杂的砷化铟_砷化镓量子点太阳电池的制(257KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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