| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 | |
王科范; 杨晓光 ; 杨涛; 王占国
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；步骤2：在衬底上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结构，作为电池的i吸收层；步骤4：在多个周期的量子点结构上依次生长p型GaAs层、p+型GaAs层、Al0.4Ga0.6As层和ZnS/MgF2层；步骤5：在ZnS/MgF2层上生长并制作上金属电极；步骤6：在衬底10的下表面制作下金属电极；步骤7：对电池组件进行封装，完成太阳电池的制作。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN201010217374.0 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010217374.0 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22191 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王科范,杨晓光,杨涛,等. 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法. CN201010217374.0. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010217374.0.pdf（249KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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