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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
Wu M
;
Zhang BS
;
Chen J
;
Liu JP
;
Shen XM
;
Zhao DG
;
Zhang JC
;
Wang JF
;
Li N
;
Jin RQ
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Wu, M, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Qiu ZJ
;
Gui YS
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Huang ZM
;
Shu XZ
;
Dai N
;
Guo SL
;
Chu JH
;
Qiu, ZJ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JP
;
Zhang BS
;
Wu M
;
Li DB
;
Zhang JC
;
Jin RQ
;
Zhu JJ
;
Chen J
;
Wang JF
;
Wang YT
;
Yang H
;
Liu, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1020/330
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ou XB
;
Wu NJ
;
Ou, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao Q
;
Li JC
;
Zhou H
;
Wang H
;
Wang B
;
Yan H
;
Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
掺稀土GaN 薄膜的结构与光电特性的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:
宋淑芳
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提交时间:2009/04/13
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期刊论文
作者:
Li CB
;
Mao RW
;
Zuo YH
;
Zhao L
;
Shi WH
;
Luo LP
;
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbli@mail.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/09
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期刊论文
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Duan, ML
;
Sun, WR
;
Zeng, YP
;
Sun, NF
;
Sun, TN
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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浏览/下载:835/216
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang JS
;
Chen Z
;
Luo XD
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Huang, JS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1181/398
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提交时间:2010/03/09
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期刊论文
作者:
Tan PH
;
Dimovski S
;
Gogotsi Y
;
Tan, PH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gogotsi@drexel.edu
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提交时间:2010/03/09